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然后将基板2推入两个限位板10之间的限位槽内，并关闭密封门5，打开抽风机21，将腔体1内的空气抽出，通过控制面板使加热器工作通过加热板14加热坩埚3进行镀膜，镀膜完成后，使宝来利真空伸缩杆10工作，带动活动板9运动，使坩埚3运动至防护框7内，然后第二伸缩杆11工作，推动宝来利真空密封盖12和第二密封该13发生运动，使防护框7密封，然后即可打开密封门5将基板取出或换面继续覆膜。需要说明的是，在本文中，诸如宝来利真空和第二等之类的关系术语宝来利宝来利用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不宝来利包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。 宝来利真空镀膜设备性能稳定，膜层均匀耐磨，黑色碳化钛，有需要可以咨询！上海半透真空镀膜设备推荐厂家

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如图3所示，所述温控装置包括温控管40，所述温控管40连接位于外腔体10外的恒温控制器41。温控管40的引入口及引出口与外部的恒温控制器41连接，恒温控制器41可用于恒温制冷也可用于恒温加热，保证内反应腔20中的温度可以持续恒定，从而使工艺反应区域内的工艺环境温度更稳定。经过在真空镀膜设备上的实际应用验证，该真空腔体对于工艺成膜质量及镀膜均匀性均有十分有效的改善和提升。其中，温控管40包括加热管和/或冷却管。一般情况下，在工艺反应过程中，通常需要升温以完成相关的工艺反应，因此，温控管40包括必要的加热管，而冷却管可以根据实际的工艺需要选选择性地添加即可。例如，若在工艺反应过程中，需要进行快速降温，此时可以设置冷却管。所述加热管非限制性地例如可以为电加热管、水加热管或油加热管。冷却管例如可以为水冷却管或油冷却管。为了增加温控效果，第二侧壁22和第二底板21处均设有温控管40。其中，所述温控管40缠绕于所述第二侧壁22的外部，且所述温控管40铺设于所述第二底板21的底部。除上述缠绕方式外，还可以用埋设的方式铺设加热管，例如，所述第二底板21内和所述第二侧壁22内均设有用于穿设温控管40的通道，所述温控管40埋设于所述通道内。

真空镀膜设备在操作过程中，膜层不均匀的可能原因主要包括靶材与基片的距离不当、磁场设计不均匀以及乙炔引入不均匀等。具体内容如下：距离问题：靶材与待镀基片之间的距离若未优化，会影响溅射的均匀性。磁场设计问题：磁控溅射的均匀性在很大程度上依赖于磁场的设计，如果磁场分布和强度不均，则会导致膜层均匀度不佳。气体引入问题：如乙炔在反应溅射过程中引入不均，也会导致沉积膜层的质量在基片上存在差异。为了解决这些问题，可以考虑以下方案：调整靶材与基片间的距离：确保两者间距离适宜，以便改善溅射的均匀性。优化磁场设计：通过改善和优化磁场的分布及强度，提高靶材表面离子轰击的均匀性，进而提升膜层均匀度。旋转基片或靶材：在溅射过程中，改变它们的相对位置和角度，使得材料能够更均匀地分布在基片上。宝来利数码相机镜片真空镀膜设备性能稳定，膜层均匀耐磨，细腻有光泽，有需要可以来咨询！

本实用新型涉及真空设备领域，尤其涉及一种真空反应腔室和真空镀膜设备。背景技术：目前，真空设备，例如，pecvd（plasmaenhancedchemicalvaporde****ition，等离子体增强化学气相沉积）和pvd（physicalvaporde****ition，物宝来利相沉积）设备已被广泛应用于各种产品的生产过程中，如光伏电池、半导体器件等等。真空设备中(如pecvd设备、pvd设备)的宝来利真空反应室通常为单个反应腔室，传动部件和升降部件等机械模块部件以及溅射靶材等工艺模块部件均设置于该单个反应腔室内，这就造成反应腔室内的工艺环境不够封闭，容易造成工艺环境污染。另外，设置单个反应腔室时，由于工艺反应区域较大，容易造成工艺所需原料的浪费，同时，还会造成工艺反应过程中温度波动大，不可控因素较多，从而影响工艺过程。技术实现要素：本实用新型的宝来利真空目的在于提供一种真空反应腔室，以解决现有真空设备中由于只设置一个反应腔室造成的工艺环境易被污染、工艺原料易被浪费、环境温度可控性低等问题。本实用新型的第二目的在于提供一种包含本实用新型真空反应腔室的真空镀膜设备。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：一种真空反应腔室，包括：用于提供真空环境的外腔体。 真空镀膜设备选择丹阳市宝来利真空机电有限公司，有需要可以联系我！江苏1500真空镀膜设备推荐厂家

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